LPMS レーザーパワー測定


350〜1700nmおよび数W〜数百Wのレーザー、半導体レーザーの全出力測定が可能な積分球システムです。積分球内は特殊構造により、ビーム偏極やビームアラインメントに影響されません。
アプリケーションに応じて反射材、ディテクタをお選びいただけます。
ディテクタポートが2つあり、ディテクタやファイバ分光器を追加することができます。
入射ポートはオープンにするほかファイバアダプタやポートリデューサーの取り付けも可能で幅広い用途に利用できます。
ディテクタポートは入射ポートから45°の位置にあり、測定精度の影響を受けないよう設計されています。システムの校正はNISTトレーサブルです
- 平均放射パワー(CW)
- Max Power(CW)
- Min Power(CW)
- 平均ピーク出力パワー(Pulse)
- ピーク出力パワー(Pulse)
- パルス幅
- 積分球: 2、4、6インチ
- 検出器: Si、InGaAs
- 反射材:スペクトラロン、スペクトラフレクト、インフラゴールド
- ソフトウエア
低出力レーザー向け(VIS-NIR)/(NIR) |
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型式 | LPMS-020-SF-SDTP | LPMS-020-SF-IDTP | LPMS-040-SF-SDTP | LPMS-040-SF-IDTP | LPMS-060-SF-SDTP | LPMS-060-SF-IDTP |
反射材 | スペクトラフレクト | スペクトラフレクト | スペクトラフレクト | |||
積分球サイズ | 2インチ | 4インチ | 6インチ | |||
入射ポートサイズ | 0.5インチ | 1.0インチ | 1.0インチ | |||
ディテクタポートサイズ | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | |||
ディテクタ | Si | InGaAs | Si | InGaAs | Si | InGaAs |
測定幅 | 350〜1100nm | 900〜1700nm | 350〜1100nm | 900〜1700nm | 350〜1100nm | 900〜1700nm |
ピーク感度 | 975nm | 1300nm | 975nm | 1300nm | 975nm | 1300nm |
分光感度 | 5.7E-4A/W @975nm |
9.5E-5A/W @1300nm |
1.4E-4A/W @975nm |
2.0E-5A/W @1300nm |
6.3E-5A/W @975nm |
1.0E-5A/W @1300nm |
測定パワー | 1.8nW〜1.8W @975nm |
10nW〜10W @1300nm |
7.0nW〜7W @975nm |
50nW〜50W @1300nm |
1.6nW〜16W @975nm |
100nW〜100W @1300nm |
サンプリングレート | 最低10Hz、最高5000Hz | |||||
保存間隔 | 0.0002〜0.1秒 | |||||
インターフェース | USB | |||||
電源 | USB | |||||
動作温度 | 20〜40℃ | |||||
中出力レーザー向け(VIS-NIR)/(NIR) |
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型式 | LPMS-020-SL-SDTP | LPMS-020-SL-IDTP | LPMS-040-SL-SDTP | LPMS-040-SL-IDTP | LPMS-060-SL-SDTP | LPMS-060-SL-IDTP |
反射材 | スペクトラロン | スペクトラロン | スペクトラロン | |||
積分球サイズ | 2インチ | 3.3インチ | 5.3インチ | |||
入射ポートサイズ | 0.5インチ | 1.0インチ | 1.0インチ | |||
ディテクタポートサイズ | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | |||
ディテクタ | Si | InGaAs | Si | InGaAs | Si | InGaAs |
測定幅 | 350〜1100nm | 900〜1700nm | 350〜1100nm | 900〜1700nm | 350〜1100nm | 900〜1700nm |
ピーク感度 | 975nm | 1300nm | 975nm | 1300nm | 975nm | 1300nm |
分光感度 | 9.7E-5A/W @975nm |
2.5E-5A/W @1300nm |
3.6E-5A/W @975nm |
9.2E-6A/W @1300nm |
5.0E-6A/W @975nm |
3.6E-6A/W @1300nm |
測定パワー | 10nW〜10W @975nm |
40nW〜40W @1300nm |
28nW〜28W @975nm |
109nW〜109 @1300nm |
200nW〜200W @975nm |
280nW〜280W @1300nm |
サンプリングレート | 最低10Hz、最高5000Hz | |||||
保存間隔 | 0.0002〜0.1秒 | |||||
インターフェース | USB | |||||
電源 | USB | |||||
動作温度 | 20〜40℃ | |||||
高出力レーザー向け(NIR) |
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型式 | LPMS-020-IG-IDTP | LPMS-040-IG-IDTP | LPMS-060-IG-IDTP | |||
反射材 | インフラゴールド | インフラゴールド | インフラゴールド | |||
積分球サイズ | 2インチ | 4インチ | 6インチ | |||
入射ポートサイズ | 0.5インチ | 1.0インチ | 1.0インチ | |||
ディテクタポートサイズ | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | 0.5インチ×2ポート | |||
ディテクタ | InGaAs | InGaAs | InGaAs | |||
測定幅 | 900〜1800nm | 900〜1800nm | 900〜1800nm | |||
ピーク感度 | 1600nm | 1600nm | 1600nm | |||
分光感度 | 1.4E-5A/W @1600nm |
3.4E-6A/W @1600nm |
1.5E-6A/W @1600nm |
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測定パワー | 73nW〜73W @1600nm |
290nW〜290W @1600nm |
659nW〜659W @1600nm |
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サンプリングレート | 最低10Hz、最高5000Hz | |||||
保存間隔 | 0.0002〜0.1秒 | |||||
インターフェース | USB | |||||
電源 | USB | |||||
動作温度 | 20〜40℃ |